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5.0时长 00:27:54· 22962人已学习
讲师：张飞 张飞实战电子高级工程师
我们已经得到D的值了，输入的一个平均电流也已经知道了，这时我们就可以来计算对于初级线圈来说其ILin为多少。用Iin=0.4安培除以D=0.55，得到ILin=0.73安培。再接着就可以将Io的平均电流算出来。对于次级线圈上的ILo1为Io1除以1-D得到4安培左右。所以我们可以根据该电流值得到该路上的二极管最大导通电流要能够达到4安培。
这样的话我们此处的二极管就不能选择4148二极管了，我们可以将其替换为ES1D二极管。ES1D二极管的额定电流值为1安培，但是最大导通电流是可以达到4安培的。
学习获得：
学习隔离式反激开关电源设计
1、反激开关电源的设计思路，拓扑结构及原理框图讲解
2、驱动电路设计
3、经典驱动芯片UC3842 内部结构讲解
4、频率设计讲解
5、吸收电路设计及作用讲解
6、功率开关管MOSFET的开关速度，发热因素及选型讲解
7、输出电路设计
8、MOSFET选型，吸收电路器件选型，输出二极管选型，输入输出电容等重要器件参数计算。
9、电流环设计
10、电压环设计
11、经典基准电压源TL431 内部结构讲解
12、光耦的应用讲解
13、TL431、光耦组合电路参数计算。
14、EMI设计简单介绍
适宜学习人群：
1、如果你还是学生，正厌倦于枯燥的课堂理论课程，想得到电子技术研发的实战经验；
2、如果你即将毕业或已经毕业，想积累一些设计研发经验凭此在激烈竞争的就业大军中脱颖而出，找到一份属于自己理想的高薪工作；
3、如果你已经工作，却苦恼于技能提升缓慢，在公司得不到加薪和快速升迁；
4、如果你厌倦于当前所从事的工作，想快速成为一名电子研发工程师从事令人羡慕的研发类工作。
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