英飞凌工业半导体

动态

• 发布了文章 2024-09-30 08:03

  新疆如何实现给全国充电？

  

  想象一下，仅仅在眨眼之间——0.01秒的瞬息，新疆的磅礴能源便能跨越千山万水，抵达3300公里外的安徽，点亮万家灯火。这，便是吉泉特高压直流输电工程——一项集电压等级之巅、输送能量之巨、输电距离之远、技术水平之先进于一身的超级工程，UHVDC！从新疆准东（昌吉）换流站启程，这条能源动脉穿越广袤的戈壁，翻越巍峨的天山，沿着历史悠久的河西走廊蜿蜒前行，最终跨越奔

  清洁能源 能源 额定电压

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• 发布了文章 2024-09-27 08:05

  新品 | 第2代CoolSiC™ MOSFET 400V

  

  新品第2代CoolSiCMOSFET400VCoolSiCMOSFET400VG2将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻结合在一起，同时改善了系统成本。400VSiCMOSFET可在2电平和3电平硬开关和软开关拓扑中提供出色的功率密度和系统效率。目标应用为人工智能服务器PSU、SMPS、电机控制、可再生能源和储能以及D类放大器中的功率转换。产品型号：■IMBG4

  MOSFET SiC 英飞凌

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• 发布了文章 2024-09-26 08:05

  新品 | 用于工业和汽车应用的ISOFACE™四通道数字隔离器

  

  新品用于工业和汽车应用的ISOFACE四通道数字隔离器ISOFACE四通道数字隔离器系列支持高达40Mbps的数据传输速率，可确保在宽环境条件下进行稳健的数据通信。工作温度范围（-40°C至+125°C）。宽体DSO-16封装中的四个数据通道可简化高功率密度设计，并以低电流消耗提高系统效率。现在还提供4+0通道配置。产品型号：■4DIR0400H■4DIR0

  四通道 数字隔离器 汽车

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• 发布了文章 2024-09-20 08:06

  功率半导体让生活更美好

  

  功率半导体让生活更美好

  功率半导体 电力电子 电机驱动

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• 发布了文章 2024-09-19 08:03

  新品 | 英飞凌无芯变压器固态隔离器交流固态开关评估板

  

  新品英飞凌无芯变压器固态隔离器交流固态开关评估板英飞凌固态隔离器高压侧不需要辅助电源供电就可以驱动功率晶体管，如CoolMOS、OptiMOS或TRENCHSTOPIGBT。英飞凌SSI系列提供快速开通/关断、过流保护和过温保护等控制功能，驱动功率半导体实现固态继电器。产品特点评估板用于8引脚固态隔离器的快速评估和设计评估板为交流固态开关配置快速开通过流/过

  英飞凌 评估板 隔离器

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• 发布了文章 2024-09-14 08:04

  英飞凌助力奇点能源，打造高效可靠的工商业储能解决方案

  

  近日，英飞凌宣布携手西安奇点能源股份有限公司，将为其提供业界领先的1200V450AEconoDUAL3功率模块，用于215kW工商业及源网侧eblock储能应用，依托于英飞凌TRENCHSTOPIGBT7创新的产品，助力奇点能源打造高可靠、高效率的储能PCS系统。英飞凌推出的EconoDUAL3中功率IGBT模块封装，自面世以来，迅速赢得业界认可，成为市场

  IGBT 储能 英飞凌

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• 发布了文章 2024-09-13 08:04

  英飞凌率先开发全球首项300mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革

  

  ●凭借这一突破性的300mmGaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长●利用现有的大规模300mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率●300mmGaN的成本将逐渐与硅的成本持平英飞凌科技股份公司今天宣布，已成功开发出全球首项300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项

  半导体 氮化镓 英飞凌

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• 发布了文章 2024-09-12 08:04

  直播预告 | 电气隔离新势力——英飞凌新型SSI系列固态隔离器的创新技术与应用设计

  

  英飞凌最新推出的SSI系列固态隔离器面向交流和直流固态继电器、可编程逻辑控制器、智能楼宇和家庭自动化系统（温控器、照明、供暖控制）、工业自动化和控制、仪器设备、电池管理系统、配电柜等等多个领域。其创新技术在兼顾可靠性和稳定性的同时，并实现电路设计简化和成本降低。通过研讨会，您将了解：技术革新亮点：详细介绍英飞凌最新固态隔离器的核心技术优势，以及在快速开通和关

  电气 英飞凌 隔离器

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• 发布了文章 2024-09-10 08:03

  新品 | 6500V、1000A 单开关 IGBT 模块 FZ1000R65KE4

  

  新品6500V、1000A单开关IGBT模块FZ1000R65KE46500V1000A，190mmIHV单开关IGBT模块采用IGBT4沟槽栅场终止技术，是HVDC-VSC、牵引和工业应用的最佳解决方案。产品特点低VCEsat碳化硅铝基板存储温度低至-55°CCTI600应用价值实现紧凑型逆变器设计低功率损耗标准化封装竞争优势高性能坚固可靠低功率损耗应用领

  IGBT 模块 逆变器

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• 发布了文章 2024-09-05 08:03

  新品 | 采用第二代1200V CoolSiC™ MOSFET的集成伺服电机的驱动器

  

  新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服电机的驱动器REF-DR3KIMBGSIC2MA是为集成伺服电机的驱动器应用而开发的升级版逆变器和栅极驱动器板。设计用于评估采用TO-263-7封装的第二代1200VCoolSiCMOSFET。采用IMBG120R040M2H作为三相逆变器板的功率开关。驱动电路采用了具有米勒钳位功能的EiceDRI

  MOSFET 伺服电机 驱动器

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