如何选择英飞凌OptiMOS™ 与 StrongIRFET™ ？OptiMOS™功率MOSFET拥有一流的出色表现。其特点包括极低的RDS(on) 以及高效率和高功率密度，是开关频率较高的应用的理想之选。
StrongIRFET™功率MOSFET专门为工业级应用设计，特别适合于开关频率较低以及需要较高载流能力的应用。
这一强大的产品组合涵盖10V–300V区间，具有卓越的性能和出色的性价比，可满足广泛的需求。
产品展示
打卡任意三个产品，或下载两个文档，可获得最多两次抽奖机会
英飞凌最新的 OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 系列可实现最高水平的系统效率。OptiMOS™ 6 采用最先进的沟槽工艺，在开关/导通损耗和电流能力方面有显著改进。这些改进可降低系统损耗，从而提高功率密度、电路板温度和整体系统可靠性。目标应用包括开关模式电源(SMPS) 、可再生能源、Oring 电路、电机驱动、LEV 和电池供电应用。
该系列包含多款产品，包含全新推出的200V，以及120V， 100V，与40V家族。
重新定义行业标准
英飞凌新的200v MOSFET系列采用最新的OptiMOS™6
MOSFET沟槽技术，可实现高功率密度、高效率和系统可靠性。
• 低传导损耗
• 开关损耗低
• 改善了EMI
• 减少了并联的需要
• 并联时更好的电流共享
• 符合RoHS，无铅
• 与上一代相比，室温下RDS（开启）减少42%，175°C时减少53%
• 降低了Qrr和提高了电容线性度，提高了开关性能
• 在不影响EMI的情况下，降低传导和开关损耗
• 改进了SOA以增加保护开关应用中的MOSFET电流处理
• 设计优化和生产精度使可靠的高性能技术
OptiMOS 6 200V 介绍视频
OptiMOS 6 200V 介绍 PPT
MOSFET系列 应用文档
在大电流应用中并联 MOSFET
StrongIRFET™功率MOSFET专门为工业级应用设计，特别适合于开关频率较低以及需要较高载流能力的应用。
StrongIRFET™ 2系列，采用新一代功率MOSFET技术，可满足 开关电源、 电机驱动器、电池供电、电池管理、UPS、轻型电动车和太阳能等多种应用需求。
该系列产品实用性强、性价比高，对于追求便捷选购的设计师而言，堪称理想之选。 该系列产品针对低开关频率和高开关频率进行了优化，可为各种应用提供支持，实现灵活设计。新产品支持各类封装，包括TO-220， TO-220 FullPAK、D2PAK、D2PAK 7引脚以及DPAK封装。
与之前的 StrongIRFET™ 器件相比，这项新技术可提供高达 40% 的 RDS(on) 改进和高达 60% 的 Qg 降低，从而转化为更高的功率效率，从而提高整体系统性能。 更高的额定电流可实现更高的载流能力，无需再并联多个器件，从而降低了 BOM 成本并节省了电路板面积。
StrongIRFET™ 2 系列功率 MOSFET 技术适用于各种应用，例如 SMPS、电机驱动、电池供电、电池管理、UPS 和轻型电动汽车。
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温馨提示
活动结束后由工作人员统一邮件核对快递地址，奖品将在15个工作日内寄出。
如因注册报名信息不全，导致在活动结束前无法与您取得联系，将视为自动放弃领奖机会。
1. 抽奖规则：在此期间内完成打卡的工程师用户，可获得抽奖机会；打卡任意三个产品，或下载两个文档&观看视频，可获得最多两次抽奖机会。请如实填写资料，以便中奖后与您联系及安排奖品寄送。
2. 活动期限：即日起——2024年7月31日
3. 仅限电子行业人员参与，不支持小号、马甲号参与抽奖，一经发现立即取消中奖资格。
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