原子层刻蚀和沉积工艺利用自限性反应，提供原子级控制。 泛林集团先进技术发展事业部公司副总裁潘阳博士 分享了他对这个话题的看法。 技术节点的每次进步都要求对制造工艺变化进行更严格的控制。最先进的工艺
2021-02-08 10:53:00
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本期，我们将继续探索半导体制造过程中的两大关键步骤：刻蚀和薄膜沉积。
2022-08-01 10:58:185027 
等离子体工艺广泛应用于半导体制造中。比如，IC制造中的所有图形化刻蚀均为等离子体刻蚀或干法刻蚀，等离子体增强式化学气相沉积(PECVD)和高密度等离子体化学气相沉积 (HDP CVD)广泛用于电介质
2022-11-15 09:57:313274 。 第六步 互连 半导体的导电性处于导体与非导体（即绝缘体）之间，这种特性使我们能完全掌控电流。通过基于晶圆的光刻、刻蚀和沉积工艺可以构建出晶体管等元件，但还需要将它们连接起来才能实现电力与信号的发送与接收。 金属因
2021-08-02 13:49:0416627 铝、干法刻蚀钛、干法刻蚀氮化钛等）20、 等离子去胶21、 DRIE （硅深槽刻蚀）、ICP、TSV22、 湿法刻蚀23、 膜厚测量24、 纳米、微米台阶测量25、 电阻、方阻、电阻率测量等26、 半导体
2015-01-07 16:15:47
半导体技术在汽车动力系统中的应用是什么？
2021-05-18 06:09:40
请教下以前的[半导体技术天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半导体技术是如何变革汽车设计产业的？
2021-02-22 09:07:43
多个数据流，并以超低的成本，延长工作寿命。有些应用需要抵消输入阻塞信号的作用，降低拦截概率。正在席卷整个行业的相控天线设计为这些挑战提供了解决办法。人们开始采用先进的半导体技术解决相控阵天线过去存在的缺点，以最终
2021-01-20 07:11:05
无严格要求的特点。因此，目前检测半导体材料电阻率，尤其对于薄膜样品来说，四探针是较常用的方法。 四探针技术要求使用四根探针等间距的接触到材料表面。在外边两根探针之间输出电流的同时，测试中间两根探针的电压差。最后，电阻率通过样品的几何参数，输出电流源和测到的电压值来计算得出。
2021-01-13 07:20:44
随着温度的升高，金属的电阻率增加，使其具有正的电阻温度系数。半导体的电阻温度系数是负的。非本征半导体的电阻率大于本征半导体。半导体电阻率的温度依赖性对其在电子学中的应用起着重要的作用电导率描述了电流
2022-02-25 09:55:01
半导体光刻蚀工艺
2021-02-05 09:41:23
半导体制冷片是利用半导体材料的Peltier效应而制作的电子元件，当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术，其特点是无运动部件，可靠性也比较高。半导体制冷片的工作原理是什么？半导体制冷片有哪些优缺点？
2021-02-24 09:24:02
的积体电路所组成，我们的晶圆要通过氧化层成长、微影技术、蚀刻、清洗、杂质扩散、离子植入及薄膜沉积等技术，所须制程多达二百至三百个步骤。半导体制程的繁杂性是为了确保每一个元器件的电性参数和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
作为通讯乃至军事行业的技术支撑者，半导体厂商曾经离家用电器行业很“远”，而现在，随着家电应用市场和功能的扩展，消费者对家电产品的质量和技术的要求越来越高，半导体厂商转身成为了家电变频技术的竞技者
2019-06-21 07:45:46
北京华林嘉业科技有限公司(简称CGB)，公司致力于为以下行业提供蚀刻、清洗、显影、去膜、制绒、减薄等高品质设备：半导体LED：硅片清洗机；硅片腐蚀机；硅片清洗腐蚀设备；基片湿处理设备；硅片清洗刻蚀
2011-04-13 13:23:10
特性介于金属导体与绝缘体材料的间(故称半导体材料)，人类可经由温度的变化，能量的激发及杂质渗入后改变其传导特性，再配合了适当的制程步骤，便产生许多重要的电子组件，运用在人类的日常生活中。189
2020-02-17 12:20:00
本人小白，最近公司想上半导体器件的塑封生产线，主要是小型贴片器件封装，例如sot系列。设备也不需要面面俱到，能进行小规模正常生产就行。哪位大神能告知所需设备的信息，以及这些设备的国内外生产厂家，在此先行感谢！
2022-01-22 12:26:47
半导体失效分析项目介绍，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。
2020-11-26 13:58:28
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-07-05 08:13:58
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-08-20 08:01:20
降低。这种掺杂半导体常称为杂质半导体。杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体，靠价带空穴导电的称P型半导体。不同类型半导体间接触（构成PN结）或半导体与金属接触时，因电子（或空穴）浓度差而产生扩散，在
2013-01-28 14:58:38
和气体敏感膜。金电极连接气敏材料的两端，使其等效为一个阻值随外部待测气体浓度变化的电阻。由于金属氧化物有很高的热稳定性，而且这种传感器仅在半导体表面层产生可逆氧化还原反应，半导体内部化学结构不变
2012-08-29 15:40:48
作者： Robert GeeMaxim Integrated核心产品事业部执行业务经理 在半导体测试领域，管理成本依然是最严峻的挑战之一，因为自动化测试设备(ATE)是一项重大的资本支出。那么，有没有能够降低每片晶圆的成本，从而提升竞争优势的方法呢？有，答案就是提高吞吐率。
2019-07-29 08:11:12
在这里我们通过半导体与其他材料的主要区别来了解半导体的本性： 在室温下，半导体的电导率处在103~10-9西[门子]/厘米之间，其中西[门子]/厘米为电导率的单位，电导率与电阻率互为倒数。一般金属
2018-03-29 09:04:21
功率半导体的热管理对于元件运行的可靠性和使用寿命至关重要。本设计实例介绍的爱普科斯(EPCOS)负温度系数(NTC)和正温度系数(PTC)热敏电阻系列，可以帮助客户可靠地监测半导体元件的温度。
2020-08-19 06:50:50
(carrier channel)，影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻率 (resistively) 来定义好坏，一般要求至17.5MΩ-cm以上才算合格；为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与UV
2011-09-23 14:41:42
半导体材料取自于元素周期表中金属与非金属的交界处。常温下半导体导电性能介于导体与绝缘体之间。 本征半导体纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。(由于不含杂质且为晶体结构，所以导电性比普通半导体差
2020-06-27 08:54:06
超声波线束焊接机利用超声波金属焊接技术对金属线束进行焊接加工，把高频电能通过换能器转换成机械振动能作用于金属线束上，当振动摩擦生热的温度到达线束金属熔点时，线束就会熔化，并且线束在融合的同时线束焊接装置会施加一定的压力，最后线束焊接装置移开并停止机械振动，就会形成线束焊接效果。
2019-10-22 09:03:00
的半导体过程控制技术来严格监控工艺过程状态，而SPC就是其中最重要的一种技术。本文针对SPC做了简要概述，着重论述了根据半导体生产工艺的特点来实现其在半导体晶圆厂的实际应用。 关键词：半导体；SPC；过程
2018-08-29 10:28:14
设备参数 ZEISS Auriga Compact 1.场发射扫描电镜（SEM）：各种材料形貌观察和分析，如金属、半导体、陶瓷、高分子材料、有机聚合物等，放大率：12×～1000,000×；分辨率
2017-06-29 14:16:04
设备参数 ZEISS Auriga Compact 1.场发射扫描电镜（SEM）：各种材料形貌观察和分析，如金属、半导体、陶瓷、高分子材料、有机聚合物等，放大率：12×～1000,000×；分辨率
2017-06-29 14:20:28
设备参数 ZEISS Auriga Compact 1.场发射扫描电镜（SEM）：各种材料形貌观察和分析，如金属、半导体、陶瓷、高分子材料、有机聚合物等，放大率：12×～1000,000×；分辨率
2017-06-29 14:24:02
压阻薄膜生长后，采用光刻、湿法刻蚀、离子注入和蒸发金属剥离图案技术制作压敏电阻微结构。引入电感耦合等离子体 (ICP) 将两个槽蚀刻到压阻层，然后在压阻薄膜台面的顶部沉积和图案化 Ti/Pt/Au
2021-07-07 10:22:15
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：硅纳米柱与金属辅助化学蚀刻的比较编号：JFSJ-21-015作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：超大规模集成电路制造技术简介编号：JFSJ-21-076作者：炬丰科技概括VLSI制造中使用的材料材料根据其导电特性可分为三大类：绝缘体导体半导体
2021-07-09 10:26:01
新加坡知名半导体晶圆代工厂招聘资深刻蚀工艺工程师和刻蚀设备主管！此职位为内部推荐，深刻蚀工艺工程师需要有LAM 8寸机台poly刻蚀经验。刻蚀设备主管需要熟悉LAM8寸机台。待遇优厚。有兴趣的朋友可以将简历发到我的邮箱sternice81@gmail.com，我会转发给HR。
2017-04-29 14:23:25
一般都是比其他精密电阻差。2.精密薄膜电阻精密薄膜电阻的技术发展代表了可以被大量商用的精密电阻技术，也是目前最流行的精密电阻技术。通过长时间多层的膜层沉积，高精密的调阻和后期的筛选，最优的精密薄膜电阻
2019-04-26 13:55:26
（SiC）和氮化镓（GaN）是功率半导体生产中采用的主要半导体材料。与硅相比，两种材料中较低的本征载流子浓度有助于降低漏电流，从而可以提高半导体工作温度。此外，SiC 的导热性和 GaN 器件中稳定的导通电阻
2023-02-21 16:01:16
去的三十年里，III-V 技术（GaAs 和InP）已经逐渐扩大到这个毫米波范围中。新近以来，由于工艺尺寸持续不断地减小，硅技术已经加入了这个“游戏”。在本文中，按照半导体特性和器件要求，对可用
2019-07-31 07:43:42
化学反应后生成Si原子并沉积在衬底上，生长出晶体取向与衬底相同的Si单晶外延层，该技术已广泛用于Si半导体器件和集成电路的工业化生产。气相外延炉主要是为气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上，生长
2018-09-03 09:31:49
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
今日分享晶圆制造过程中的工艺及运用到的半导体设备。晶圆制造过程中有几大重要的步骤：氧化、沉积、光刻、刻蚀、离子注入/扩散等。这几个主要步骤都需要若干种半导体设备，满足不同的需要。设备中应用较为广泛
2018-10-15 15:11:22
单芯片互补式金属氧化物半导体（CMOS）传感器有哪几种？它们分别有什么应用以及特点？
2021-06-17 08:54:54
及分析。 1. 设备参数 ZEISS Auriga Compact 1.场发射扫描电镜（SEM）：各种材料形貌观察和分析，如金属、半导体、陶瓷、高分子材料、有机聚合物等，放大率：12×～1000,000
2017-06-29 14:08:35
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 编辑
请问有没有这种做法，就是在pcb上画一圈一圈的金属线，当电感用？请问可以用protel99来设计吗？谢谢~
2012-12-20 16:58:39
安森美半导体应用于物联网的成像技术和方案分享
2021-05-31 07:07:32
的技术面加以探讨，为业界提供实质建议。要有效降低ESD所带来的损害，除了可选择在制程中直接控制ESD之外，也可以在电子元件中加强抵抗ESD的装置。安森美半导体长期投入于研发ESD保护技术，通过先进的ESD保护技术和完整的产品系列，使电子元件具备优异的电路保护性能。
2019-05-30 06:50:43
文章主要介绍了当前射频集成电路研究中的半导体技术和CAD技术，并比较和讨论了硅器件和砷化镓器件、射频集成电路CAD和传统电路CAD的各自特点。近年来，无线通信市场的蓬勃发展，特别是移动电话、无线
2019-07-05 06:53:04
尊敬的先生/女士，我想找出所有VIRTEX-6的半导体安装技术，是倒装芯片安装技术的芯片吗？谢谢问候，缺口
2020-06-15 16:30:12
，以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。刻蚀（英语：etching）是半导体器件制造中利用化学途径选择性地移除沉积层特定部分的工艺。刻蚀对于器件的电学性能十分重要。如果刻蚀过程中出现失误，将造成难以恢复
2017-10-09 19:41:52
的设备。可供应翻新半导体工艺设备包括：光刻机 步进光刻机 涂胶显影 化学湿台 沉积设备 划片及磨片设备 电子束蒸发 CVD沉积设备 刻蚀设备 离子注入机 显微镜 探针台 薄膜测厚仪 表面检测设备 键合机
2009-10-14 11:05:53
文/编译杨硕王家农在网络无处不在、IP无处不在和无缝移动连接的总趋势下，国际半导体技术路线图(ITRS)项目组在他们的15年半导体技术发展预测中认为，随着技术和体系结构推进“摩尔定律”和生产力极限
2019-07-24 08:21:23
气体接触，由于氧的减少，势垒降低，电子移动变得容易，电导率增加，电阻率下降。3、吸附氧理论 吸附氧理论是表面吸附机理和晶界势垒模型两者的结合，是目前公认较好的理论。当半导体表面吸附了氧这类电负性
2018-10-24 14:21:10
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
`哪位了解LCVD激光气相沉积设备，想买一台用来做补线用。如图，沉积出宽10um左右的金属线。求大神指点！`
2014-01-17 10:36:02
“通过创新，电子系统将使汽车可以自动操作，使其更加安全、舒适和高效”。飞思卡尔半导体汽车及标准产品部亚太地区市场总监Allen Kwang高度评价汽车电子的创新意义。而汽车电子创新显然与动力、底盘、安全、车身、信息娱乐系统发展趋势息息相关。
2019-07-24 07:26:11
本帖最后由 济世良驹 于 2016-10-10 22:31 编辑
第一讲 半导体的导电特性1、半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体。2、常见
2016-10-07 22:07:14
刻蚀工艺以满足工艺集成要求; 3、 与其他工程师紧密配合，进行半导体工艺流程分析 任职要求： 1、大学本科学历（含）以上 2、掌握半导体基础理论，制品及器件技术，熟悉设备 、工艺 、 制造等相关内容
2016-10-26 17:05:04
试述为什么金属的电阻温度系数是正的而半导体的是负的？
2023-04-23 11:27:04
怎样通过ASV技术去生成准确的3D深度图？采用艾迈斯半导体的ASV技术有什么特点？
2021-07-09 06:25:46
. （2）薄膜电容加工 因为MIS（Metal-Insulator-Semiconductor金属-绝缘体-半导体结构）薄膜电容利用半导体作为底电极，使电容本身具有寄生电阻，造成元件的共振频率降低
2018-09-11 16:12:05
金属线胀系数的测定:学习用光杠杆法测量金属棒的线胀系数。 光杠杆原理T:望远镜；M:光杠杆(反光镜)；P:标尺；C:有孔圆柱体；m,c:金属杆受热膨胀后的光杠杆和圆柱体 ；a:光
2009-06-08 21:25:15
25 半导体制程之薄膜沉积
在半导体组件工业中，为了对所使用的材料赋与某种特性，在材料表面上常以各种方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:585750 
金属线胀系数的测量
实验目的：学习利用光杠杆测量金属棒的线胀系数。仪器和用具：线胀系数测定装置、光杠杆、尺度望远
2009-06-08 21:29:0612572 
金属材料的共同特征是典型地显出特有的光泽,是良好的导电体和导热体,不透明,在一定的高温下可熔解,通常可锻而有延展性。金属在电线电缆中的应用主要作为导体和屏蔽层材料，如铜
2011-12-20 17:17:3236 半导体制造刻蚀设备调度算法的研究_贾小恒
2017-03-19 11:28:162 半导体知识：PVD金属沉积制程讲解
2019-07-24 11:47:2312910 
本文档的主要内容详细介绍的是金属和半导体的接触教程详细说明包括了:金属-半导体接触的能带图，肖特基势垒的整流特性，肖特基势垒的电流输运，势垒电容，肖特基二极管的应用，金属-半导体欧姆接触
2020-04-10 08:00:004 不久前，MEMS 蚀刻和表面涂层方面的领先企业 memsstar 向《电子产品世界》介绍了 MEMS 与传统 CMOS 刻蚀与沉积工艺的关系，对中国本土 MEMS 制造工厂和实验室的建议等。 1
2022-12-13 11:42:001974 刻蚀是半导体制造中十分关键的一环，刻蚀通过物理或化学方法将硅片表面不需要的材料去除，从而将掩膜图形正确的复制到涂胶硅片上。
2021-02-23 16:41:573523 薄膜沉积是晶圆制造的三大核心步骤之- - ，薄膜的技术参数直接影响芯片性能。
半导体器件的不断缩小对薄膜沉积工艺提出了更高要求，而ALD技术凭借沉积薄膜厚度的高度可控性、优异的均匀性和三E维保形性,在半导体先进制程应用领域彰显优势。
2023-02-16 14:36:54728 光刻机、刻蚀机设备、气相沉积设备是三大核心半导体设备，占据了产线设备总投资额70%。
2023-02-22 11:34:49938 金属和半导体的接触
2023-03-08 16:40:001099 DRAM栅工艺中，在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素刻蚀钧金属硅化合物层，然后再使用氯元素刻蚀多晶硅。
2023-04-07 09:48:163038 金属刻蚀具有良好的轮廓控制、残余物控制，防止金属腐蚀很重要。金属刻蚀时铝中如果 有少量铜就会引起残余物问题，因为Cu Cl2的挥发性极低且会停留在晶圆表面。
2023-04-10 09:40:543328 本篇要讲的金属布线工艺，与前面提到的光刻、刻蚀、沉积等独立的工艺不同。在半导体制程中，光刻、刻蚀等工艺，其实是为了金属布线才进行的。在金属布线过程中，会采用很多与之前的电子元器件层性质不同的配线材料（金属）。
2023-04-25 10:38:491353 
经过氧化、光刻、刻蚀、沉积等工艺，晶圆表面会形成各种半导体元件。半导体制造商会让晶圆表面布满晶体管和电容（Capacitor）；
2023-04-28 10:04:52730 
但是，HCl为基体的刻蚀溶液，会严重地侵蚀Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金属硅化物阻值升高。这就要求有一种刻蚀剂是无氯基体，而且对Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe无伤害、对金属选择性又高。这就是目前常用的高温硫酸和双氧水混合液
2023-05-29 10:48:272669 
由后段制程(BEOL)金属线寄生电阻电容(RC)造成的延迟已成为限制先进节点芯片性能的主要因素[1]。减小金属线间距需要更窄的线关键尺寸(CD)和线间隔，这会导致更高的金属线电阻和线间电容。
2023-06-09 12:55:52621 
在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料，从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备，在其他类似工艺中也很常见。
2023-06-15 17:51:571599 
，因此光刻、刻蚀和薄膜沉积设备是芯片加工过程中最重要的三类主设备，占前道设备的近70%。近些年来我国已经开始在各类设备中开展追赶式研发，在技术难度最高的这些主设备中
2022-08-25 17:35:24781 
在半导体制程中，移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种，引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如，光刻工艺中的光刻胶涂敷，其实也是在基底上形成各种薄膜；又如氧化工艺中晶圆（硅）氧化，也需要在基底表面添加各种新材料。那为什么唯独要强调“沉积”工艺呢？
2023-06-29 16:58:37709 
在前几篇文章（点击查看），我们一直在借用饼干烘焙过程来形象地说明半导体制程 。在上一篇我们说到，为制作巧克力夹心，需通过“刻蚀工艺”挖出饼干的中间部分，然后倒入巧克力糖浆，再盖上一层饼干层。“倒入巧克力糖浆”和“盖上饼干层”的过程在半导体制程中就相当于“沉积工艺”。
2023-06-29 16:56:171151 
和在刻蚀工艺中一样，半导体制造商在沉积过程中也会通过控制温度、压力等不同条件来把控膜层沉积的质量。例如，降低压强，沉积速率就会放慢，但可以提高垂直方向的沉积质量。因为，压强低表明设备内反应气体粒子
2023-07-02 11:36:402082 
半导体同时具有“导体”的特性，因此允许电流通过，而绝缘体则不允许电流通过。离子注入工艺将杂质添加到纯硅中，使其具有导电性能。我们可以根据实际需要使半导体导电或绝缘。 重复光刻、刻蚀和离子注入步骤会在
2023-07-03 10:21:572692 
在半导体制造过程中，每个半导体元件的产品都需要经过数百道工序。这些工序包括前道工艺和后道工艺，前道工艺是整个制造过程中最为重要的部分，它关系到半导体芯片的基本结构和特性的形成，涉及晶圆制造、沉积、光刻、刻蚀等步骤，技术难点多，操作复杂。
2023-07-11 11:25:554210 
在半导体制程中，移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种，引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如，光刻工艺中的光刻胶涂敷，其实也是在基底上形成各种薄膜；又如氧化工艺中晶圆（硅）氧化，也需要在基底表面添加各种新材料。那为什么唯独要强调“沉积”工艺呢？
2023-08-17 15:33:27644 
半导体技术在当今社会已成为高科技产品的核心，而在半导体制造的各个环节中，铜凭借其出色的性能特点，已成为众多工艺应用的关键材料。在半导体领域中，铜主要被用于制造互连线路。在传统的互连制造中，铜通常被用作通过化学气相淀积（CVD）或物理气相沉积（PVD）技术沉积在金属膜上。
2023-08-19 11:41:151335 铜的电阻率取决于其晶体结构、空隙体积、晶界和材料界面失配，这在较小的尺度上变得更加重要。传统上，铜(Cu)线的形成是通过使用沟槽蚀刻工艺在低k二氧化硅中蚀刻沟槽图案，然后通过镶嵌流用Cu填充沟槽来完成的。
2023-09-22 09:57:23478 
半导体设备系列研究-薄膜沉积设备
2023-01-13 09:06:529 半导体前端工艺（第四篇）：刻蚀——有选择性地刻蚀材料，以创建所需图形
2023-11-27 16:54:26518 
W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体，并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比，加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步，第一步是快速均匀地刻掉大部分W，第二步则降低刻蚀速率减弱负载效应，避免产生凹坑，并使用对TiN有高选择比的化学气体进行刻蚀。
2023-12-06 09:38:534523 优化硅的形态与沉积方式是半导体和MEMS工艺的关键，LPCVD和APCVD为常见的硅沉积技术。
2024-01-22 09:32:151702 
近日，美国知名数字标牌解决方案供应商Stratacache与半导体技术公司Lumiode达成战略合作，共同推动Micro LED技术的进一步发展。Stratacache计划将Lumiode的背板沉积技术集成到其即将完成的Micro LED生产线E4当中。
2024-02-05 17:07:04860 薄膜沉积是在半导体的主要衬底材料上镀一层膜。这层膜可以有各种各样的材料，比如绝缘化合物二氧化硅，半导体多晶硅、金属铜等。用来镀膜的这个设备就叫薄膜沉积设备。薄膜制备工艺按照其成膜方法可分为两大类
2024-03-28 14:22:41498 
及电阻率增加问题，半导体行业正在寻找替代铜的金属线材料。 l 在较小尺寸中，钌的性能优于铜和钴，因此是较有潜力的替代材料。 随着互连尺寸缩减，阻挡层占总体线体积的比例逐渐增大。因此，半导体行业一直在努力寻找可取代传统铜双大马士革方案的替代金属线材料。 相比金属线宽
2024-04-09 17:11:12230 
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